[发明专利]一种晶体生长装置和一种Er;Yb双掺LuAG晶体及其制备方法

摘要

本发明提供了一种晶体生长装置和一种Er,Yb双掺LuAG晶体及其制备方法，涉及光电子材料技术领域。本发明提供的晶体生长装置包括下保温系、上保温系统和提拉控制系统，本发明提供的晶体生长装置适合高温晶体的生长，可以有效避免高温晶体生长的温场稳定性差和晶体生长过程中容易产生开裂的问题。使用本发明的装置进行晶体生长，整个生长过程可实现全自动化控制；使用该装置制备的Er,Yb双掺LuAG晶体热导率高，光学性能良好，适用于高功率激光器的工作物质。

主权项

1.一种晶体生长装置，包括下保温系统、上保温系统和提拉控制系统；所述下保温系统包括陶瓷底盘(1)、位于所述陶瓷底盘上的第一氧化锆盘(2)、位于第一氧化锆盘上的氧化锆保温筒(3)和位于氧化锆保温筒内部的第二氧化锆盘(4)；所述第二氧化锆盘的下表面和第一氧化锆盘的上表面接触；所述陶瓷底盘(1)、第一氧化锆盘(2)的直径和氧化锆保温筒(3)的外径尺寸一致；所述第二氧化锆盘(4)的直径和氧化锆保温筒(3)的内径尺寸一致；所述上保温系统包括底部和氧化锆保温筒筒壁接触的陶瓷保温筒(5)、位于陶瓷保温筒内层的氧化锆后热器(6)和位于陶瓷保温筒顶部的氧化锆散热环(7)；所述氧化锆后热器内部形成圆台形保温腔；所述陶瓷保温筒(5)的外径大于氧化锆保温筒的(3)外径；所述提拉控制系统包括放置在所述第二氧化锆盘(4)上的坩埚(8)、垂直于坩埚的提拉杆(9)、与提拉杆相连的称重装置(10)、与称重装置相连的传感器(11)以及与传感器相连的控制器(12)；所述提拉控制系统还包括缠绕在所述氧化锆保温筒外侧的感应线圈(13)；所述感应线圈的感应强度通过控制器控制。