[发明专利]一种具有低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷在审
| 申请号： | 201810798144.4 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN108911728A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 肖谧;韦艳双;娄捷 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/22 | 分类号： | C04B35/22;C04B35/622 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 李训成 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷及其制备方法，其原料组成为CaCoSi2O6。按照配料、一次球磨、干燥、过筛、1100℃预烧、二次球磨、造粒、压制成型为坯体，坯体于在排蜡时于550℃保温90～300min，然后升温到1125～1200℃烧结2小时，制得低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷。本发明成功地获得了介电常数约为4.6～7.2、Q×f最高可达到12456.9GHz、谐振频率温度系数接近于0的低介电常数微波介质陶瓷。本发明制备工艺简单，过程无污染，是一种很有前途的微波介质材料。 | ||
| 搜索关键词： | 微波介质陶瓷 低介电常数 钴硅 坯体 低介电常数微波介质陶瓷 谐振频率温度系数 发明制备工艺 微波介质材料 二次球磨 介电常数 原料组成 烧结 次球 过筛 排蜡 预烧 造粒 制备 保温 成功 | ||
【主权项】：
1.一种具有低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷，其组成为CaCoSi2O6。上述钙钴硅微波介质陶瓷的制备方法，具有以下步骤：(1)将CaCO3、CoCO3、SiO2作为原料，按化学式CaCoSi2O6进行配料，将粉料放入球磨罐中，加入去离子水及氧化锆球，球磨8小时；(2)将步骤(1)球磨后的原料置于110℃烘干，待原料烘干后过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；(3)将步骤(2)混合均匀的粉料装入坩埚后在1100℃下预烧2小时；(4)在步骤(3)预烧后的陶瓷粉料放入球磨罐中，加入去离子水与氧化锆球，二次球磨8小时，并于110℃温度烘干；烘干后在陶瓷粉料中外加15％重量百分比的石蜡进行造粒，过60目筛，再压制成坯体；(5)将步骤(4)的坯体缓慢升温至550℃排蜡，然后在550℃下保温90～300min，于1125～1200℃烧结，保温2小时，制得钙钴硅微波介质陶瓷。
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