[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和存储介质有效
| 申请号： | 201810798557.2 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN109285763B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 井关智弘;田中启一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3105;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及基板处理装置、基板处理方法和存储介质，改善掩膜图案的表面的粗糙并抑制掩膜图案的轮廓形状发生变化。所述装置具备：载置台(24)，其在处理容器(21)内载置表面形成有图案掩膜(12)的基板(W)；减压机构(32)，其对所述处理容器(21)内进行减压；光照射机构(42)，其在所述处理容器内被减压并且达到1Pa以下的压力之后向所述基板(W)照射真空紫外光来改善所述图案掩膜(12)的表面的粗糙；以及控制部，其输出控制信号，以使在所述处理容器(21)内从10000Pa以上的压力减压到1Pa的期间中由所述减压机构(32)进行减压的该处理容器(21)内的减压速度为250Pa/秒以下。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：载置台，其在处理容器内载置表面形成有图案掩膜的基板；减压机构，其对所述处理容器内进行减压；光照射机构，其在所述处理容器内被减压并且达到1Pa以下的压力后，向所述基板照射真空紫外光来改善所述图案掩膜的表面的粗糙；以及控制部，其输出控制信号，以使在所述处理容器内从10000Pa减压到1Pa的期间中由所述减压机构进行减压的该处理容器内的减压速度的平均速度为250Pa/秒以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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