[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法有效
| 申请号： | 201810798841.X | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN109309148B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;韦春余;周飚;董彬忠;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法，属于发光二极管制造领域。AlN层在衬底上生长的多次溅射过程中，使AlN层在氩气、氮气与氧气的混合气体下进行溅射，而氩气与氮气的流量比值逐渐增大，这种设置会使最终得到的AlN层中的单晶结构增多，多晶结构减少，AlN层的晶格常数更小，AlN层与在AlN层之后生长的外延层之间产生的晶格失配更小，得到的外延层的质量更好，保证发光二极管的质量，进而提高发光二极管的发光效率。并且使用磁控溅射的方式在衬底上生长的AlN层的表面质量较好，保证在AlN层之后生长的外延层的质量，同时也可提高AlN层对光的反射率，使发光二极管发出的光更多地被AlN层反射至出光面，进一步提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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