[发明专利]一种基于氧化钼微米带/p型Si的多波段光响应器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810804323.4 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109037372B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 于乃森;陈向丰;齐岩;赵海燕;苑青;董斌 | 申请（专利权）人： | 大连民族大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 21235 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 祝诗洋 |
| 地址： | 116600 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于氧化钼微米带/p型Si的多波段光响应器件及其制备方法，属于光电探测技术领域。该器件为多层结构，自下而上依次为p型Si衬底、SiO | ||
| 搜索关键词： | 微米带 绝缘薄层 衬底 制备 多波段光 响应器件 薄膜层 氧化钼 单根 可见光 多层结构 工艺操作 光电探测 结构接触 制造成本 光响应 催化剂 薄膜 响应 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种基于氧化钼微米带/p型Si的多波段光响应器件的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：/n①以p型Si为衬底，在衬底上分成镀膜区和非镀膜区，首先对非镀膜区采用绝缘胶带进行遮挡，然后采用磁控溅射生长SiO
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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