[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810804923.0 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN110416094B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 吴志伟;施应庆;卢思维;林俊成;李隆华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/36 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种形成半导体器件的方法，该方法包括将金属箔附接至载体，在附接金属箔之前预制该金属箔；在金属箔的远离载体的第一侧上形成导电柱；将半导体管芯附接至金属箔的第一侧；在半导体管芯和导电柱周围形成模制材料；以及在模制材料上方形成再分布结构。本发明实施例还提供一种半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：将金属箔附接至载体，在附接所述金属箔之前预制所述金属箔；在所述金属箔的远离所述载体的第一侧上形成导电柱；将半导体管芯附接至所述金属箔的所述第一侧；在所述半导体管芯和所述导电柱周围形成模制材料；以及在所述模制材料上方形成再分布结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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