[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201810805694.4 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109119466B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 夏慧;谭志威 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管及其制作方法。该方法包括：在基板上沉积第一金属层；在第一金属层上沉积半导体材料层，利用第一道光刻工艺对半导体材料层进行图案化处理，形成半导体有源层；在第一金属层及半导体有源层上沉积第二金属层，采用第二道光刻工艺对第一金属层及第二金属层进行图案化处理，得到第一电极、第二电极和第三电极，第一电极与第二电极间隔设置，第一电极设置在基板上，第二电极设置在基板与半导体有源层之间，第三电极设置在半导体有源层之上，第二电极与第三电极在水平面的投影重叠，第一电极由第一金属层和第二金属层构成。通过两道光刻工艺即可完成第一电极、第二电极、第三电极以及有源层的制作，减少工艺步骤，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤一：在基板(10)上沉积第一金属层(20)；步骤二：在所述第一金属层(20)上沉积半导体材料层(30)，利用第一道光刻工艺对所述半导体材料层(30)进行图案化处理，形成半导体有源层(30a)；步骤三：在所述第一金属层(20)及所述半导体有源层(30a)上沉积第二金属层(60)，采用第二道光刻工艺对所述第一金属层(20)及所述第二金属层(60)进行图案化处理，得到第一电极(61)、第二电极(63)和第三电极(62)，其中，所述第一电极(61)与所述第二电极(63)间隔设置，所述第一电极(61)设置在所述基板(10)上，所述第二电极(63)设置在所述基板(10)与所述半导体有源层(30a)之间，所述第三电极(62)设置在所述半导体有源层(30a)之上，所述第二电极(63)与所述第三电极(62)在水平面的投影重叠；所述第一电极(61)由第一金属层(20)和第二金属层(60)构成。
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