[发明专利]超导回旋加速器中引出磁通道元件的边缘场垫补方法有效
| 申请号： | 201810807756.5 | 申请日： | 2018-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN110740561B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 关镭镭;李明;崔涛;邢建升;张天爵 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | H05H13/00 | 分类号： | H05H13/00;H05H7/04 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 曹晓斐 |
| 地址： | 10248*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超导回旋加速器中引出磁通道元件的边缘场垫补方法，通过有限元计算软件的计算、分析，测量得到数据，根据数据来安装、调整垫补块。采用本垫补方法对引出磁通道附近的边缘场进行垫补，能满足磁场的等时性条件；同时本方法操作简单、经济实用、通用性高，垫补成本低；垫补效果能够达到20Gs以内。 | ||
| 搜索关键词： | 超导 回旋加速器 引出 通道 元件 边缘 垫补 方法 | ||
【主权项】：
1.超导回旋加速器中引出磁通道元件的边缘场垫补方法，其特征是：包括步骤如下：/n（1）采用有限元计算软件对安装有磁通道的超导回旋加速器边缘场的分布进行计算，得出被磁通道改变的边缘场分布数据；/n（2）根据步骤1计算得出的数据，在磁通道临近的磁极表面上安装有若干组垫补块，所述垫补块的长为X
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