[发明专利]一种高性能硅负极活性材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810808543.4 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN108963229B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 肖伟;张开悦;赵丽娜;刘建国;严川伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及锂离子电池用硅负极活性材料的制备及改性领域，特别是一种高性能硅负极活性材料及其制备方法。该硅负极活性材料包括纳米硅颗粒及硅颗粒表面包覆的导电涂层，其制备步骤包括导电涂层溶液的配制，纳米硅分散液的配制，同轴静电纺丝法制备硅活性材料，最后经干燥等获得高性能硅负极活性材料。本发明的硅活性材料具有核壳结构，其核层参与电极反应，发挥高容量特性，壳层发挥电子、离子导电功能及限制纳米硅体积膨胀功能。该材料制备成电极后，除具有较高的容量外，也具有较好的大电流充放电能力及较长的循环充放电寿命，在高能量密度锂离子电池负极中具有良好的应用前景。本发明的制备工艺简单，易于大规模生产，且成本低廉，环境友好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 负极 活性 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高性能硅负极活性材料，其特征在于，该硅负极活性材料具有核壳结构，包括纳米硅核层及纳米硅表面包覆的导电功能壳层，纳米硅核层为硅单质颗粒，导电功能壳层的导电功能包括电子导电和离子导电。
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