[发明专利]一种硅冶炼过程中抬包的烘烤方法

摘要

本发明公开了一种硅冶炼过程中抬包的烘烤方法，包括以下步骤：S1、在硅冶炼浇铸场所修建烘烤抬包的专用塔体，塔体高度为9.6米，底部最宽为8.4米，上端最窄为6.3米，塔体修建三面，在另一面上铰接上封板，塔体顶部封闭，制作两个隔板和四个挡板，每个隔板上均等间距设有多个第一开口，第一开口宽度为175毫米‑265毫米，挡板高度为3.6米，挡板上设有多个第二开口。本发明有利于能源的循环利用，实现了可持续发展和绿色生产，避免了燃烧时产生废气和粉尘污染环境，有利于保护环境，极大的缩短了烘烤所需时间，加快了烘烤速度，有效的提高了烘烤效率，且有效的降低了工作人员的劳动强度。

主权项

1.一种硅冶炼过程中抬包的烘烤方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在硅冶炼浇铸场所修建烘烤抬包的专用塔体，塔体高度为9.6米，底部最宽为8.4米，上端最窄为6.3米，塔体修建三面，在另一面上铰接上封板，塔体顶部封闭，制作两个隔板和四个挡板，每个隔板上均等间距设有多个第一开口，第一开口宽度为175毫米‑265毫米，挡板高度为3.6米，挡板上设有多个第二开口，第二开口宽度为175毫米‑265毫米，将隔板安装在塔体内，两个隔板之间的距离为3.6米，最下端的隔板距离塔体底部有1.2米度，每个隔板的上端均固定有两个挡板，且两个挡板之间的距离为5.5米，每个隔板上端的两个挡板和塔体内侧壁之间的距离一致；S2、先用隔热板将塔体内部、封板、隔板和挡板进行包覆，然后再在塔体内部用防火砖垒砌一层，然后使用绝热材料对塔体内部、封板、隔板和挡板进行浇筑，并保证第一开口和第二开口的通透，等待干透，在后期可以向塔体内的底部放置冷凝至黑色，温度为400℃—600℃的硅锭，加速烘干；S3、彻底烘干后，在四个挡板的一侧和塔体内的底部均放置一个冷却硅架，首次使用时，先将两个待烘烤的抬包翻转放置到最上层隔板的上端，并将两个冷凝至黑色，温度为400℃—600℃的硅锭分别放置到上层两个挡板的一侧，对该抬包进行预热，预热总时长为20小时，每2小时更换一次硅锭；S4、当预热完成后，将最上层的两个抬包移动并放置到下层隔板的上端，同时在下层两个挡板的一侧放置冷凝至黑色，温度为400℃—600℃的硅锭，并在塔体的底部放置刚脱模温度为800℃—1050℃的硅锭进行烘烤，烘烤总时长为20小时，每2小时更换一次硅锭，在将上层的两个抬包移至下层隔板的上端时，重新在上层隔板的上端放置两个抬包进行预热；S5、烘烤完成后，将下端的两个抬包移出，并将上端的两个抬包下移进行烘烤，同时再次放置进新的抬包进行预热，从而进行循环，有效的提高了烘烤的效果和效率；S6、使烘烤好的两个抬包自然冷却，冷却完成后即可使用。