[发明专利]瞬态电压抑制元件在审
| 申请号： | 201810810782.3 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110571280A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 刘育弦;陈志豪 | 申请（专利权）人： | 力智电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/06;H01L27/08 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种瞬态电压抑制元件，包括基底与第一瞬态电压抑制器。基底包括元件区与密封环区。密封环区环绕元件区。第一瞬态电压抑制器位于元件区中。第一瞬态电压抑制器包括具有第一导电型的第一井区、具有第二导电型的第一掺杂区以及具有第二导电型的第二掺杂区。第一井区位于元件区的基底中。第一掺杂区位于第一井区中。第二掺杂区位于第一井区中。具有第二导电型的第三掺杂区位于密封环区的基底中，第三掺杂区与第一掺杂区电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 导电型 基底 井区 瞬态电压抑制器 密封环区 元件区 瞬态电压抑制 电性连接 环绕元件 | ||
【主权项】：
1.一种瞬态电压抑制元件，其特征在于，包括：/n基底，包括元件区与密封环区，所述密封环区环绕所述元件区；/n第一瞬态电压抑制器，位于所述元件区中，所述第一瞬态电压抑制器包括：/n具有第一导电型的第一井区，位于所述元件区的所述基底中；/n具有第二导电型的第一掺杂区，位于所述第一井区中；以及/n具有所述第二导电型的第二掺杂区，位于所述第一井区中；以及/n具有所述第二导电型的第三掺杂区，位于所述密封环区的所述基底中，其中所述第三掺杂区与所述第一掺杂区电性连接。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力智电子股份有限公司，未经力智电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810810782.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
