[发明专利]一种金属硅冶炼深度除杂的方法

摘要

本发明公开了一种金属硅冶炼深度除杂的方法，包括以下步骤：S1、组合脱铝剂，将镁盐和钠盐按照一定比例混合成脱铝剂备用；S2、氩气熔化，将造渣剂与金属硅混合后碾压成球形硅料，投入冶炼炉中，在温度1700度‑1800度环境下熔化。本发明通过对冶炼深度除杂方法的改进，解决了传统金属硅生产冶炼中，耗费能源、工艺复杂和工序繁琐的问题，达到了可以在冶炼金属硅时，利用氧气进行铝和钙反应生成熔渣的同时，使用脱铝剂进行深化脱铝，再利用造渣剂和氩气的配合进行对硼的去除，并在冷却后进行酸洗，达到了钙、铝、硼等杂质的深度清除的目的，工艺简单，方便操作，降低了成本，降低了能源损耗，方便使用。

主权项

1.一种金属硅冶炼深度除杂的方法，包括，其特征在于，包括以下步骤：S1、组合脱铝剂，将镁盐和钠盐按照一定比例混合成脱铝剂备用；S2、氩气熔化，将造渣剂与金属硅混合后碾压成球形硅料，投入冶炼炉中，在温度1700度‑1800度环境下熔化，在氩气的氛围下进行造渣处理，所述造渣剂为K20‑MgC12‑SiO2‑CaO，所述金属硅为块状或粉状，其中硼的含量为8ppmw；S3、吹氧精炼，保持冶炼炉内的温度保持在1600度‑1700度，将充足的氧气通入硅水中；S4、取样检测，将冶炼炉内的温度保持在1600度‑1650度，待精练到一定程度时，取样分析铝含量和硼含量；S5、深度除铝，硅水中的铝含量大于12%时，将准备好的脱铝剂的二分之一投入到冶炼炉内，并充分搅拌，搅拌5‑10分钟后，将剩余的二分之一的脱铝剂再次投入到冶炼炉内，再次搅拌10‑20分钟，整个过程需要在30分钟内完成；S6、过滤除杂，将深度除铝和除硼后的硅水内的熔渣进行去除；S7、硅料粉碎研磨，冷却后，将造渣处理后的硅料进行粉碎、研磨、筛选，得到硅粉；S8、依次浸泡，将所得到的硅粉加入到盐酸和氢氟酸混合液中浸泡，且浸泡时间为4h‑8h，浸泡完毕，再将硅粉加入到硝酸和双氧水的混合液中浸泡，浸泡时间为6h‑12h；S9、冲洗、抽滤，最后将硅粉加入到氢氟酸和有机胺的混合液中浸泡，且浸泡时间为19h‑25h，然后进行冲洗、抽滤，得到冲洗干净的硅粉；S10、喷雾干燥，将所得到的硅粉进行喷雾干燥，得到深度除杂的硅粉。