[发明专利]一种MgIn2S4基中间带太阳能吸收材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810811994.3 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN109037373A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 鲁书瀚;陈平;张栋栋 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 胡永宏 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MgIn2S4基中间带太阳能吸收材料及其制备方法，化学式为MgIn2‑xSnxS4，0＜x＜2，采用真空固相反应烧结工艺，通过在母体化合物MgIn2S4的In位掺杂元素Sn形成半满中间带而得；相比于传统太阳能电池材料，上述材料增加了电子吸光路径，增强了光吸收能力。 | ||
| 搜索关键词： | 中间带 太阳能吸收材料 制备 传统太阳能电池 真空固相反应 光吸收能力 母体化合物 掺杂元素 烧结工艺 吸光 | ||
【主权项】：
1.一种MgIn2S4基中间带太阳能吸收材料，化学式为MgIn2‑xSnxS4，0＜x＜2，通过在母体化合物MgIn2S4的In位掺杂元素Sn形成半满中间带而得。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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