[发明专利]TaN/BiVO4有效

专利信息
申请号: 201810812044.2 申请日: 2018-07-23
公开(公告)号: CN108855193B 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 夏立新;李思远;李娜;蒋文超;姜毅 申请(专利权)人: 辽宁大学
主分类号: B01J27/24 分类号: B01J27/24;C01B3/04
代理公司: 沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 代理人: 金春华
地址: 110000 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及TaN/BiVO4异质结复合材料及其制备方法和应用。TaN/BiVO4异质结复合材料是采用浸渍的方法将氮化钽负载在钒酸铋上形成的异质结构的复合材料。本发明改善了单独半导体在光激发电子后,其电子和空穴再结合速率快的缺点,制备了一种TaN/BiVO4异质结复合材料,间接地加快了电荷与空穴的分离效率,进一步地提高了光激发的电子利用率,提高了光电催化效率。本发明通过修饰半导体,实现高效光电分解水。
搜索关键词: tan bivo base sub
【主权项】:
1.TaN/BiVO4异质结复合材料,其特征在于,所述的TaN/BiVO4异质结复合材料是采用浸渍的方法将氮化钽负载在钒酸铋上形成的异质结构的复合材料。
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