[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810812764.9 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN109390407A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 闵宣基;卢东贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L29/423;H01L27/092 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置包含：第一有源图案以及第二有源图案，在衬底上；第一源极/漏极区，在第一有源图案上；第二源极/漏极区，在第二有源图案上；以及装置隔离层，填充第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的第一沟槽以及第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的第二沟槽。内衬层设置在第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的装置隔离层上。第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的装置隔离层在第一源极/漏极区下方具有凹槽，且第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的内衬层的底部表面高于凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 源图案 源极/漏极区 装置隔离层 半导体装置 内衬层 底部表面 衬底 填充 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：在衬底上的第一有源图案以及第二有源图案；第一源极/漏极区，在所述第一有源图案上；第二源极/漏极区，在所述第二有源图案上；装置隔离层，填充所述第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的第一沟槽以及所述第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的第二沟槽；以及内衬层，在所述第二有源图案中的所述相邻第二有源图案之间的所述装置隔离层上，其中所述第一有源图案中的所述相邻第一有源图案之间的所述装置隔离层在所述第一源极/漏极区下方具有凹槽，且其中所述相邻第二有源图案之间的所述内衬层的底部表面高于所述凹槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810812764.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
