[发明专利]太阳能电池及太阳能电池组件有效
申请号: | 201810812946.6 | 申请日: | 2018-07-23 |
公开(公告)号: | CN109037375B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 王子谦;张伟;郎芳;沈艳娇;翟金叶;孟庆超;张文辉;张向前;李锋;史金超 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/05 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 米文智 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明适用于光伏发电技术领域,提供了一种太阳能电池及太阳能电池组件,太阳能电池包括:衬底;衬底中第一掺杂区域的正面和第二掺杂区域的背面均掺杂N型杂质,衬底中第一掺杂区域的背面和第二掺杂区域的正面均掺杂P型杂质;衬底中第一掺杂区域与第二掺杂区域之间设有本征区域;衬底的表面设有钝化膜;衬底中第一掺杂区域和第二掺杂区域的表面均印刷有细栅线和主栅线,细栅线和主栅线穿透所述钝化膜与所述衬底形成欧姆接触;衬底中第一掺杂区域正面的主栅线与第二掺杂区域正面的主栅线连接。本发明能够防止激光划片造成的太阳能电池的碎裂,并提高太阳能电池组件的输出功率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 组件 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:衬底;所述衬底中第一掺杂区域的正面和第二掺杂区域的背面均掺杂N型杂质,所述衬底中第一掺杂区域的背面和第二掺杂区域的正面均掺杂P型杂质;所述衬底中第一掺杂区域与第二掺杂区域之间设有本征区域;所述衬底的表面设有钝化膜;所述衬底中第一掺杂区域和第二掺杂区域的表面均印刷有细栅线和主栅线,所述细栅线和所述主栅线穿透所述钝化膜与所述衬底形成欧姆接触;所述衬底中第一掺杂区域正面的主栅线与所述第二掺杂区域正面的主栅线连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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