[发明专利]一种低漏电的低压TVS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种低漏电的低压TVS器件，包括P+型衬底和扩散于P+型衬底上表面和下表面的磷区，磷区由两个部分组成，一部分是N+浓磷区，一部分是N‑淡磷区，N‑淡磷区沉积扩散于N+浓磷区的两侧，所述TVS器件的上、下表面均热生长有二氧化硅钝化层；本发明还公开了所述低漏电的低压TVS器件的制造方法，包括硅片双面抛光、氧化、淡磷区光刻、淡磷扩散、浓磷区光刻、浓磷区扩散、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、铝合金、背金、背金反刻等步骤。本发明先光刻淡磷区进行淡磷扩散，达到减小表面漏电的效果，然后光刻浓磷区进行浓磷扩散，达到提高浪涌能力的效果，击穿区是浓磷区，通过调整浓磷区的表面浓度和结深可精确控制击穿电压，极大地提高了低压TVS的性能。

主权项

1.一种低漏电的低压TVS器件，其特征在于，包括P+型衬底(1)和扩散于P+型衬底(1)上表面和下表面的磷区，磷区由两个部分组成，一部分是N+浓磷区(2)，一部分是N‑淡磷区(3)，N‑淡磷区(3)沉积扩散于N+浓磷区(2)的两侧，所述TVS器件的上、下表面均热生长有二氧化硅钝化层(4)；所述低漏电的低压TVS器件的由如下步骤制作而成：一、衬底材料选择P型硅单晶片，对P型硅单晶片进行双面抛光；二、氧化在P型硅单晶片的上、下表面均热生长二氧化硅钝化层(4)；三、淡磷区光刻采用淡磷区光刻版在P型硅单晶片上进行淡磷区光刻；四、淡磷区扩散预淀积：采用POCl3做为掺杂源，预沉积温度900‑1000℃，时间60‑100mi n，Rs＝8‑10Ω/□；再扩散：利用硅管进行再扩散，再扩散温度1000‑1100℃，时间1‑4h，Xj＝2‑5μm；五、浓磷区光刻采用浓磷区光刻版在P型硅单晶片上进行浓磷区光刻；六、浓磷区扩散预淀积：采用POCl3做为掺杂源，预沉积温度1050‑1150℃，时间80‑120min，Rs＝0.5‑1Ω/□；再扩散：利用硅管进行再扩散，再扩散温度1100‑1200℃，时间4‑10h，Xj＝10‑15μm；七、引线孔光刻采用引线孔光刻版进行引线孔光刻；八、蒸铝通过蒸铝操作，在P型硅单晶片的表面覆上一层铝膜层；九、铝反刻采用金属反刻版进行铝反刻；十、蒸铝合金在铝膜层表面覆合一层铝合金膜；十一、蒸Ti‑Ni‑Ag合金在铝合金膜表面蒸镀一层Ti‑Ni‑Ag合金膜；十二、Ti‑Ni‑Ag反刻采用金属反刻版对Ti‑Ni‑Ag合金膜进行反刻，制备得到低漏电的低压TVS器件。