[发明专利]一种碳化硅纳米线疏水涂层及其制备方法在审
申请号: | 201810815058.X | 申请日: | 2018-07-14 |
公开(公告)号: | CN109135356A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 李斌斌;毛帮笑;黄海泉 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | C09D1/00 | 分类号: | C09D1/00;B82Y30/00;B82Y40/00;C01B32/963 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种碳化硅纳米线疏水涂层及其制备方法,其特征在于,所述的碳化硅纳米线疏水涂层由直径为30‑100nm的碳化硅纳米线组成,厚度为0.5‑1.0mm,疏水角为150°;利用先驱体聚碳硅烷粉末1100‑1200℃热解、在基体上沉积得到碳化硅纳米线疏水涂层。本发明通过一步法在基体上制备得到碳化硅纳米线疏水涂层,制备工艺简单,该碳化硅纳米线疏水涂层具有超疏水、自清洁、超轻超薄的优点且可以在腐蚀性等苛刻的环境中长时间应用。 | ||
搜索关键词: | 碳化硅纳米线 疏水涂层 制备 聚碳硅烷 时间应用 制备工艺 超疏水 先驱体 一步法 自清洁 超轻 沉积 热解 疏水 | ||
【主权项】:
1.一种碳化硅纳米线疏水涂层,其特征在于,涂层由直径为30‑100nm的碳化硅纳米线组成,厚度为0.5‑1.0mm,涂层疏水角为150°。
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