[发明专利]一种碳化硅纳米线疏水涂层及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810815058.X 申请日: 2018-07-14
公开(公告)号: CN109135356A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 李斌斌;毛帮笑;黄海泉 申请(专利权)人: 南京航空航天大学
主分类号: C09D1/00 分类号: C09D1/00;B82Y30/00;B82Y40/00;C01B32/963
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 210016 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种碳化硅纳米线疏水涂层及其制备方法,其特征在于,所述的碳化硅纳米线疏水涂层由直径为30‑100nm的碳化硅纳米线组成,厚度为0.5‑1.0mm,疏水角为150°;利用先驱体聚碳硅烷粉末1100‑1200℃热解、在基体上沉积得到碳化硅纳米线疏水涂层。本发明通过一步法在基体上制备得到碳化硅纳米线疏水涂层,制备工艺简单,该碳化硅纳米线疏水涂层具有超疏水、自清洁、超轻超薄的优点且可以在腐蚀性等苛刻的环境中长时间应用。
搜索关键词: 碳化硅纳米线 疏水涂层 制备 聚碳硅烷 时间应用 制备工艺 超疏水 先驱体 一步法 自清洁 超轻 沉积 热解 疏水
【主权项】:
1.一种碳化硅纳米线疏水涂层,其特征在于,涂层由直径为30‑100nm的碳化硅纳米线组成,厚度为0.5‑1.0mm,涂层疏水角为150°。
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