[发明专利]一种碳化硅纳米线疏水涂层及其制备方法在审
| 申请号： | 201810815058.X | 申请日： | 2018-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN109135356A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李斌斌;毛帮笑;黄海泉 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C09D1/00 | 分类号： | C09D1/00;B82Y30/00;B82Y40/00;C01B32/963 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅纳米线疏水涂层及其制备方法，其特征在于，所述的碳化硅纳米线疏水涂层由直径为30‑100nm的碳化硅纳米线组成，厚度为0.5‑1.0mm，疏水角为150°；利用先驱体聚碳硅烷粉末1100‑1200℃热解、在基体上沉积得到碳化硅纳米线疏水涂层。本发明通过一步法在基体上制备得到碳化硅纳米线疏水涂层，制备工艺简单，该碳化硅纳米线疏水涂层具有超疏水、自清洁、超轻超薄的优点且可以在腐蚀性等苛刻的环境中长时间应用。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅纳米线 疏水涂层 制备 聚碳硅烷 时间应用 制备工艺 超疏水 先驱体 一步法 自清洁 超轻 沉积 热解 疏水 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅纳米线疏水涂层，其特征在于，涂层由直径为30‑100nm的碳化硅纳米线组成，厚度为0.5‑1.0mm，涂层疏水角为150°。
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