[发明专利]一种单/双频段可调谐太赫兹波超材料吸收器有效
| 申请号： | 201810817256.X | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN109037958B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 杨荣草;徐建平;袁苏;张文梅 | 申请（专利权）人： | 山西大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;H01Q17/00 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及超材料及太赫兹波应用技术领域，提供了一种单/双频段可调谐太赫兹波超材料吸收器，目的是解决现有可调谐太赫兹波超材料吸收器频段单一，实现单频段和双频段吸收效果的任意切换。一种单/双频段可调谐太赫兹波超材料吸收器，包括上层图案化层、中间介质层和下层金属底板；所述上层图案化层由金属‑半导体硅谐振器周期平铺排列而成，所述金属‑半导体硅谐振器为方形环结构和十字形结构所组成的“田”字形结构，所述方形环结构四角和十字形结构顶端分别嵌入了半导体硅。本发明可实现双频段和单频段完美吸收效果的任意切换。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双频 调谐 赫兹 材料 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种单/双频段可调谐太赫兹波超材料吸收器，其特征在于：包括上层图案化层（1）、中间介质层（2）和下层金属底板（3）；所述上层图案化层（1）由金属‑半导体硅谐振器周期平铺排列而成，所述金属‑半导体硅谐振器由方形环结构（4）和十字形结构（5）构成，所述方形环结构（4）四角和十字形结构（5）顶端分别嵌入了半导体硅（6），在光照下，当半导体硅电导率小于等于1S/m时，方形环结构（4）和十字形结构（5）之间不导通，处于双频段完全吸收状态，当半导体硅电导率大于等于2×105 S/m时, 方形环结构（4）和十字形结构（5）之间完全导通，处于单频段完全吸收状态，当半导体硅电导率大于1S/m小于2×105 S/m时，方形环结构（4）和十字形结构（5）之间处于不导通和完全导通的中间状态，实现双频段完全吸收状态和单频段完全吸收状态的切换，由于半导体硅电导率随光照强度增加而增加，该吸收器实现了不同光照强度条件下双频段完全吸收状态和单频段完全吸收状态的切换。
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