[发明专利]一种高值电阻的PHEMT器件在审
| 申请号： | 201810818172.8 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN109103243A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘雨非;彭俊益;李斌;陈敏敏;蔡文必 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/778;H01L23/64 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 李雁翔;张迪 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高值电阻的PHEMT器件，包括基底层、设置在基底层上的外延层，以及间隔设置在外延层上表面的金属层，通过欧姆接触的形式形成的漏极、栅极和源极；通过将栅极悬空或与源极短接的处理，所述PHEMT器件始终偏置在Vgs＝0的小栅压下，此状态下的PHEMT器件IDVD曲线线性区表现为高值电阻特性。本发明提供了一种高值电阻的器件，以在小面积下实现高阻值，并且没有附加的工艺步骤，不引入额外成本。 | ||
| 搜索关键词： | 高值电阻 基底层 外延层 源极 额外成本 工艺步骤 间隔设置 欧姆接触 曲线线性 形式形成 金属层 上表面 短接 漏极 偏置 栅压 悬空 引入 表现 | ||
【主权项】：
1.一种高值电阻的PHEMT器件，其特征在于：包括基底层、设置在基底层上的外延层，以及间隔设置在外延层上表面的金属层，通过欧姆接触的形式形成漏极、栅极和源极；通过将栅极悬空或是将栅极与源极短接的方式，所述PHEMT器件始终偏置在Vgs＝0的小栅压下，当PHEMT器件工作在这种低栅压偏置下时，其线性区会呈现出高阻值的特性。
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