[发明专利]形成纳米片晶体管的方法及相关结构有效
| 申请号： | 201810818689.7 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN109300973B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | J·弗罗吉埃尔;成敏圭;谢瑞龙;朴灿柔;史帝文·本利 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及形成纳米片晶体管的方法及相关结构，其中，一种根据本揭示内容的IC结构包括：衬底；一对晶体管部位，位在该衬底上，其中，该衬底横向在该对晶体管部位之间的上表面界定分离区；一对纳米片堆栈，各自位在该对晶体管部位的其中一者上；绝缘衬里，在该分离区内共形地位在该衬底的该上表面上，以及位在该对晶体管部位的各者的侧壁表面上；半导体心轴，位在该绝缘衬里上且位于该分离区上方；一对绝缘体区，各自在该对晶体管部位的各者的侧壁表面上横向位于该半导体心轴与该绝缘衬里之间；以及源极/漏极外延区，位于该对绝缘体区及该半导体心轴上方，其中，该源极/漏极外延区横向抵接该对纳米片堆栈。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 纳米 晶体管 方法 相关 结构 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)结构，包含：衬底，具有一对晶体管部位，其中，该衬底横向在该对晶体管部位之间的上表面界定分离区；一对纳米片堆栈，各自位在该对晶体管部位的其中一者上；绝缘衬里，在该分离区内共形地位在该衬底的该上表面上；半导体心轴，位于该绝缘衬里上且位于该衬底的该分离区上方；一对绝缘体区，各自横向位于该半导体心轴与在该对晶体管部位的各者的侧壁表面上的该绝缘衬里之间；以及源极/漏极外延区，位于该对绝缘体区及该半导体心轴上方，其中，该源极/漏极外延区横向抵接该对纳米片堆栈的各者。
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