[发明专利]量子点及其制备方法在审
| 申请号： | 201810821456.2 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110746974A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 聂志文;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 44237 深圳中一专利商标事务所 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及量子点材料技术领域，具体提供一种量子点及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：利用ZnP纳米团簇和第一InP核制备第二InP核；以所述第二InP核为核，加入壳层前驱体，使壳层前驱体在所述第二InP核表面生长成壳层，获得以所述第二InP核为核的量子点。本发明的制备方法通过在第一InP核中加入ZnP纳米团簇，可获得粒径均一的第二InP核；ZnP纳米团簇P中的Zn和P具有较强的化学结合能，在反应中ZnP分解的P单体更加均匀而且更加持久，极大的抑制熟化的发生，可制备出尺寸更加均匀的量子点核，并由此获得具有壳层的量子点，具有更高的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 制备 纳米团簇 壳层 前驱体 制备方法和应用 化学结合能 量子点材料 发光效率 粒径均一 核表面 成壳 熟化 分解 生长 | ||
【主权项】：
1.一种量子点的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：/n利用ZnP纳米团簇和第一InP核制备第二InP核；/n以所述第二InP核为核，加入壳层前驱体，使壳层前驱体在所述第二InP核表面生长成壳层，获得以所述第二InP核为核的量子点。/n
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