[发明专利]一种带负阻特性的单向TVS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810822137.3 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109390385A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 王允;苏海伟;赵德益;赵志方;张啸;吕海凤;霍田佳;杜牧涵;苏亚兵;蒋骞苑 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 衣然 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种带负阻特性的单向瞬态电压抑制二极管器件，包括：第一区域，是P区，由P型掺杂硅衬底构成；第二区域，是N+区，由正面N型掺杂的扩散区构成；第三区域，是P+区，由正面P型掺杂的扩散区构成；第四区域，是N+区，由背面N型掺杂的扩散区构成；其中第二区域和第三区域在第一区域的正面中，第二区域在第一区域的中间，第二区域和第三区域间距大于等于零；第四区域在第一区域的背面中，占据第一区域的整个背面。本发明通过背面深槽后氧化工艺，将背面容易发生短路的位置保护起来，降低了风险，能够改善表面状态，使得击穿发生在硅的体内，提高稳定性和可靠性，该结构的超低漏电流对器件自身的耗电和功耗优势明显。 | ||
| 搜索关键词： | 第一区域 第二区域 背面 扩散区 负阻特性 瞬态电压抑制二极管 表面状态 位置保护 氧化工艺 漏电流 短路 耗电 衬底 功耗 击穿 深槽 制备 体内 占据 | ||
【主权项】：
1.一种带负阻特性的单向TVS二极管，其特征在于，包括：第一区域，是P区，由P型掺杂硅衬底构成；第二区域，是N+区，由正面N型掺杂的扩散区构成；第三区域，是P+区，由正面P型掺杂的扩散区构成；第四区域，是N+区，由背面N型掺杂的扩散区构成；其中第二区域和第三区域在第一区域的正面中，第二区域在第一区域的中间，第二区域和第三区域间距大于等于零；第四区域在第一区域的背面中，占据第一区域的整个背面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海长园维安微电子有限公司，未经上海长园维安微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810822137.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
