[发明专利]一种纳米VC晶须及其制备方法有效
| 申请号： | 201810822975.0 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN108866633B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 金永中;蒋小朗;房勇;林修洲;杨瑞嵩;周锐 | 申请（专利权）人： | 四川理工学院 |
| 主分类号： | C30B29/62 | 分类号： | C30B29/62;C30B29/36;C30B7/14 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李亚男 |
| 地址： | 643000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米VC晶须及其制备方法，属于晶须制备技术领域。本发明将可溶性的原料溶于适量去离子水，得到前驱体溶液，随后干燥，研磨过后，得到混合料，接着将前躯体混合料在反应设备内进行预煅烧，预煅烧后进行最终碳热还原得到晶须产物，最后将晶须产物提纯，得到纳米VC晶须。本发明方法工艺简单，原料碳质还原剂和熔盐来源丰富、价格低，无需对不同组分原料进行机械混合，操作方便，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 vc 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米VC晶须的制备方法，其特征在于，包括：(1)将偏钒酸盐、碳质还原剂、熔盐和催化剂溶于去离子水中，制得前驱体溶液；其中，所述偏钒酸盐和碳质还原剂按照碳∶钒原子摩尔比为3～5∶1的比例添加，所述熔盐的加量为VC理论生成量的100～200wt％，所述催化剂的加量为VC理论生成量的25～70wt％；(2)将所述前驱体溶液干燥后研磨，制得前驱体混合料；(3)将所述前驱体混合料于惰性气氛中在350～600℃的温度下煅烧1～2h，制得预煅烧产物，冷却后备用；(4)将所述预煅烧产物于惰性气氛或真空中在900～1050℃的温度下保温1～3h，制得晶须产物；(5)将所述晶须产物进行提纯处理，制得纳米VC晶须。
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