[发明专利]一种MPCVD制备掺杂氮磷石墨烯的方法在审
申请号: | 201810824857.3 | 申请日: | 2018-07-25 |
公开(公告)号: | CN108910867A | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 陈木成;马肃霜 | 申请(专利权)人: | 恒力(厦门)石墨烯科技产业集团有限公司 |
主分类号: | C01B32/186 | 分类号: | C01B32/186 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361003 福建省厦门市中国(福建)自由贸*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种MPCVD制备掺杂氮磷石墨烯的方法,在微波等离子体沉积装置中进行,包括步骤如下:S1:将于P2O5粉末放入罩子带有孔的石英坩埚中,然后置于离子体反应腔内;S2:在清洗烘干过的硅衬底上镀一层金属催化剂薄膜,然后置于沉积室中。本发明通过微波等离子体气相化学沉积,直接反应制备得到氮磷共掺杂石墨烯,摒弃了对环境和设备存在污染和腐蚀的气体,制备工艺更加绿色环保;与氧化还原法相比,本发明方法性价比高,产量高,可制备大片径氮磷共掺杂石墨烯,厚度易于控制,可以规模化生产,并且石墨烯中的N原子和P原子掺杂浓度可调,具有较高的科研与产业化应用价值。 | ||
搜索关键词: | 石墨烯 氮磷 制备 共掺杂 掺杂 金属催化剂薄膜 微波等离子体 产业化应用 规模化生产 微波等离子 氧化还原法 罩子 沉积装置 化学沉积 绿色环保 清洗烘干 石英坩埚 原子掺杂 直接反应 制备工艺 沉积室 反应腔 硅衬底 离子体 放入 可调 腐蚀 大片 污染 科研 | ||
【主权项】:
1.一种MPCVD制备掺杂氮磷石墨烯的方法,在微波等离子体沉积装置中进行,其特征在于,包括步骤如下:S1:将于P2O5粉末放入罩子带有孔的石英坩埚中,然后置于离子体反应腔内;S2:在清洗烘干过的硅衬底上镀一层金属催化剂薄膜,然后置于沉积室中,抽真空,向沉积室內通入N2气,N2流速在10cm3/min‑30cm3/min;S3:通入CH4,CH4流速在25cm3/min‑300cm3/min,控制反应沉积室内甲烷体积百分浓度处于1%‑5%,N2体积浓度在0.1‑0.5%之间;S4:激发微波调节微波发射器功率100‑1000w,将N2、CH4,激发成等离子体;调节压强为400Pa‑1300Pa;升温在400℃‑900℃,升温速率在1‑10℃/min,反应时间15min‑60min,冷却至室温,即可得到氮磷共掺杂石墨烯。
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