[发明专利]形成栅极接触点的导电间隔物的方法以及所得装置有效
| 申请号： | 201810825723.3 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109300780B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 谢瑞龙;拉尔斯·W·赖柏曼;B·C·保罗;丹尼尔·恰尼莫盖姆;尼格尔·G·凯夫 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及形成栅极接触点的导电间隔物的方法以及所得装置，其中，一种方法包括在半导体衬底的第一区域上方形成第一栅极结构。邻近该第一栅极结构形成第一侧壁间隔物。凹入该第一栅极结构及该第一侧壁间隔物，以定义第一栅极接触空腔。在该第一栅极接触空腔中形成第二侧壁间隔物。在该第一栅极接触空腔中形成第一导电栅极接触点。移除该第二侧壁间隔物，以定义第一间隔物空腔。在该第一间隔物空腔中形成导电材料，以形成接触该第一导电栅极接触点的第一导电间隔物。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 栅极 接触 导电 间隔 方法 以及 所得 装置 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在半导体衬底的第一区域上方形成第一栅极结构；形成邻近该第一栅极结构的第一侧壁间隔物；凹入该第一栅极结构及该第一侧壁间隔物，以定义第一栅极接触空腔；在该第一栅极接触空腔中形成第二侧壁间隔物；在该第一栅极接触空腔中形成第一导电栅极接触点；移除该第二侧壁间隔物，以定义第一间隔物空腔；以及在该第一间隔物空腔中形成导电材料，以形成接触该第一导电栅极接触点的第一导电间隔物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
