[发明专利]发光二极管装置在审
| 申请号： | 201810826120.5 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110767786A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 刘立悰 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管装置包含一第一半导体层、一第二半导体层、一发光层、一导电层以及一高介电系数绝缘层。发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间。导电层位于第二半导体层上。高介电系数绝缘层均匀的铺设于第二半导体层与导电层之间。本发光二极管装置可通过全平面电子形成穿隧电流进入半导体层以激发出光，以解决电流扩散发光局域性问题，更可减少图形设计上光受到电极遮蔽等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 导电层 绝缘层 发光二极管装置 发光层 高介电 穿隧电流 电流扩散 图形设计 局域性 全平面 电极 上光 遮蔽 发光 铺设 激发 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管装置，其特征在于，包含：/n一第一半导体层与一第二半导体层；/n一发光层，位于该第一半导体层与该第二半导体层之间；/n一导电层，位于该第二半导体层上；以及/n一高介电系数绝缘层，均匀的铺设于该第二半导体层与该导电层之间。/n
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