[发明专利]一种低成本制备二维氮化钼或氮化钨纳米片的方法有效
| 申请号： | 201810826139.X | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110228797B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张国华;孙国栋;常贺强 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低成本制备二维氮化钼或氮化钨纳米片的方法，属于纳米材料制备领域。本发明使用钼精矿(二硫化钼)或二硫化钨为主要原料，加入一定量的碳酸钠，在高温炉中氨气气氛600‑900℃之间进行氮化反应。然后将反应后的产物洗涤、过滤和干燥，得到二维氮化钼或氮化钨纳米片。本发明使用成本较低的钼精矿(二硫化钼)或二硫化钨和碳酸钠为主要原料，可以降低生产成本。本方法生产效率高、工艺简单、适合大规模生产二维氮化钼或氮化钨纳米片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低成本 制备 二维 氮化 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低成本制备二维氮化钼或氮化钨纳米片的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)将钼精矿或二硫化钨和碳酸钠按一定化学计量比混合均匀，在高温炉中氨气气氛下进行氮化反应；(2)将步骤(1)中得到的产物洗涤、过滤、干燥得到二维氮化钼纳米片或二维氮化钨纳米片。
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