[发明专利]变组分反射式NEA AlxGa1-xN纳米线阵列光电阴极及制备方法在审
| 申请号： | 201810826558.3 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109103059A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;陆菲菲;田健;夏斯浩 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 朱宝庆 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种变组分反射式NEAAlxGa1‑xN纳米线阵列光电阴极，其特征在于，该光电阴极自下而上由衬底层、若干p型GaN纳米线、若干组分渐变p型AlxGa1‑xN纳米线和Cs/O激活层组成；所述组分渐变p型AlxGa1‑xN纳米线是由9个自下而上Al组分降低的层堆叠而成，组分渐变p型AlxGa1‑xN纳米线与p型GaN纳米线接触，Cs/O激活层覆盖于整个纳米线阵列表面。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线 纳米线阵列 光电阴极 组分渐变 反射式 激活层 层堆叠 衬底层 制备 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种变组分反射式NEAAlxGa1‑xN纳米线阵列光电阴极，其特征在于，包括衬底(1)和设置于衬底(1)上平行排列的若干纳米线，每一纳米线自下而上由p型GaN纳米线(2)、组分渐变p型AlxGa1‑xN纳米线(13)和Cs/O激活层(3)组成；所述组分渐变p型AlxGa1‑xN纳米线(13)是由9个自下而上Al组分降低的层(4‑12)堆叠而成，组分渐变p型AlxGa1‑xN纳米线(13)与p型GaN纳米线(2)接触，Cs/O激活层(3)覆盖于整个纳米线阵列表面。
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