[发明专利]反应腔室和半导体热处理设备有效
| 申请号： | 201810826689.1 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110767567B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 郝琪;杨帅;孙志坤 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种反应腔室，包括腔室本体，还包括旋转盘、套设在所述旋转盘外周的导流板、以及位于所述旋转盘下方的冷却盘，其中，所述冷却盘上设有相连通的环形通道和第一进气通道，所述环形通道的靠近所述冷却盘外边缘的侧壁与所述导流板的外周壁之间、所述导流板的顶壁与所述腔室本体的底壁之间共同形成边缘导流结构，防腐蚀气体能由所述第一进气通道经所述边缘导流结构进入所述腔室本体。本发明还提供一种半导体处理设备。所述反应腔室通过所述边缘导流结构防止所述腔室本体内的腐蚀性工艺气体对所述冷却盘和所述旋转盘造成腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 半导体 热处理 设备 | ||
【主权项】：
1.一种反应腔室，包括腔室本体，其特征在于，还包括旋转盘、套设在所述旋转盘外周的导流板、以及位于所述旋转盘下方的冷却盘，其中，/n所述冷却盘上设有相连通的环形通道和第一进气通道，所述环形通道的靠近所述冷却盘外边缘的侧壁与所述导流板的外周壁之间、所述导流板的顶壁与所述腔室本体的底壁之间共同形成边缘导流结构，防腐蚀气体能由所述第一进气通道经所述边缘导流结构进入所述腔室本体。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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