[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板以及显示装置在审
| 申请号： | 201810827974.5 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109166911A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 罗传宝 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括依次形成在衬底上栅电极、栅极绝缘层、有源层以及源电极和漏电极，所述源电极连接至所述有源层的第一端，所述漏电极连接至所述有源层的第二端，所述源电极和漏电极分别包括与所述栅电极相互重叠的第一区域和位于所述第一区域之外的第二区域，其中，所述源电极和漏电极中，至少所述第一区域形成有镂空图案，以减小所述源电极和漏电极与所述栅电极的正对面积。本发明还公开了包含如上所述薄膜晶体管的阵列基板和显示装置。如上所提供的薄膜晶体管，其可以减小源/漏电极与栅电极的正对面积，降低寄生电容，提升器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 漏电极 源电极 薄膜晶体管 第一区域 栅电极 源层 显示装置 阵列基板 减小 正对 栅极绝缘层 源/漏电极 第二区域 寄生电容 上栅电极 提升器件 镂空图案 第一端 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括依次形成在衬底上栅电极、栅极绝缘层、有源层以及源电极和漏电极，所述源电极连接至所述有源层的第一端，所述漏电极连接至所述有源层的第二端，所述源电极和漏电极分别包括与所述栅电极相互重叠的第一区域和位于所述第一区域之外的第二区域，其特征在于，所述源电极和漏电极中，至少所述第一区域形成有镂空图案，以减小所述源电极和漏电极与所述栅电极的正对面积。
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