[发明专利]应用于压接型MOSFET的压装结构在审
| 申请号： | 201810829497.6 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110767637A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 陈政宇;曾嵘;赵彪;余占清;刘佳鹏;周文鹏 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/48 |
| 代理公司： | 11594 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王冲;吴鑫 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种应用于压接型MOSFET的压装结构，包括第一铜块，弹性结构，压接型MOSFET，电路板和第二铜块。其中，多个压接型MOSFET能够形成并联阵列，排布成环形或矩阵型。所述压装结构的结构简单、紧凑，通流能力和散热能力增强，拓宽了适用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 压接 压装结构 铜块 电路板 并联阵列 弹性结构 散热能力 通流能力 矩阵型 排布 紧凑 应用 | ||
【主权项】：
1.一种压装结构，应用于压接型MOSFET，其特征在于：包括第一铜块，弹性结构，压接型MOSFET，电路板，第二铜块；/n其中，所述第一铜块底部设有凹槽，所述弹性结构与所述压接型MOSFET置于所述凹槽中；/n所述弹性结构的顶部与所述第一铜块电气连接；所述弹性结构的底部与所述压接型MOSFET的漏极顶部耦接；/n在没有外部压力的情况下，所述第一铜块与所述电路板不接触，所述第一铜块仅通过所述弹性结构与所述压接型MOSFET漏极电气连接；/n所述压接型MOSFET设置于所述电路板上面，并且所述压接型MOSFET底部源极和栅极电气连接所述电路板；/n所述电路板下面刚性连接第二铜块。/n
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