[发明专利]提纯太阳能级多晶硅的装置

摘要

本发明公开了一种提纯太阳能级多晶硅的装置。所述装置主要通过对工业硅进行冶金法熔炼后，经过对提拉定向生长多晶硅进行多级电磁约束区域提纯的方法来获得太阳能级多晶硅。首先通过冶金法熔炼硅合金熔体，然后经过提拉定向生长多晶硅来初步提纯多晶硅后，在提拉出的多晶硅锭周围设置对称偶数个电磁约束熔炼器，实现多级电磁约束区域提纯，并进一步实现高纯度提纯多晶硅。

主权项

1.一种提纯太阳能级多晶硅的装置，其特征在于：包括炉体（21），所述炉体（21）的底部设置有坩埚杆（20），所述坩埚杆（20）的一端位于所述炉体（21）的外侧，所述坩埚杆（20）的另一端位于所述炉体（21）内，坩埚支撑（17）固定在所述坩埚杆（20）位于炉体（21）内的一端上，坩埚（18）位于所述坩埚支撑（17）内，所述坩埚支撑（17）的外周设置有加热器（16），所述坩埚（18）的上方设置有偶数个电磁约束熔炼器，所述电磁约束熔炼器用于产生区域熔炼熔池，通过区域熔炼熔池对多晶硅锭进行熔化加热的同时进行电磁约束，所述电磁约束熔炼器从下到上设置，且相邻的所述电磁约束熔炼器左右错开设置，上一个所述电磁约束熔炼器的高度高于相邻的下侧的电磁约束熔炼器的高度，电磁约束熔炼器所产生的熔炼熔池伴随多晶硅锭的提拉运动对多晶硅锭进行提纯，所述炉体（21）的顶部设置有籽晶杆（1），所述籽晶杆（1）的上端位于所述炉体（21）外侧，所述籽晶杆（1）的下端位于所述炉体（21）内，位于所述炉体（21）内的籽晶杆的一端上固定有籽晶（2），且所述籽晶杆（1）在左右方向上位于电磁约束熔炼器之间，位于所述炉体（21）外侧一端籽晶杆（1）上设置有籽晶杆升降及旋转装置，用于驱动所述籽晶杆（1）上下升降运动；位于所述炉体（21）外的所述坩埚杆（20）的一端设置有坩埚杆旋转驱动装置，用于通过驱动所述坩埚杆（20）转动带动所述坩埚转动。