[发明专利]一种半导体激光器封装结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201810833016.9 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109560456B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 石琳琳;房俊宇;马晓辉;邹永刚;徐莉;张贺;徐英添;李岩;金亮 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 范盈 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本申请属于激光器技术领域，特别是涉及一种半导体激光器封装结构及其制备方法。由于铜化钨材料具有高热导率，低热膨胀系数，导电性优良，是一个很好的次热沉材料，随着铜化钨尺寸的增大可以达到更好的散热效果。但由于铜化钨价格昂贵，导致半导体激光器的封装成本越来越高。本申请提供一种半导体激光器封装结构及其制备方法，包括基础热沉，所述基础热沉上设置有辅助热沉，所述辅助热沉包括第一石墨热沉和第二石墨热沉，所述第一石墨热沉与所述第二石墨热沉之间设置有过渡热沉。使得在减少过渡热沉尺寸的同时，仍然能够达到更好的散热效果，在封装材料选择上不再局限于增加成本较高的封装材料尺寸(如氮化铝，铜化钨，金刚石等)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器封装结构，其特征在于：包括基础热沉(1)，所述基础热沉(1)上设置有辅助热沉，所述辅助热沉包括第一石墨热沉(2)和第二石墨热沉(3)，所述第一石墨热沉(2)与所述第二石墨热沉(3)之间设置有过渡热沉(4)。
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