[发明专利]一种高亮度发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810833970.8 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110767782A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 谢丁生;谢红 | 申请（专利权）人： | 上海亚曼光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 31297 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 赵霞 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高亮度发光二极管外延片，包括衬底、沿所述衬底的表面依次生长的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型层、量子阱层及P型层，所述缓冲层包括交替生长的第一氮化镓层与第二氮化镓层，所述缓冲层的第一层与最后一层均为第一氮化镓层，所述第一氮化镓层的生长温度低于第二氮化镓层的生长温度，所述P型层的生长包括至少2个生长阶段，所述每个生长阶段均包括高温生长、退火降温及低温生长的过程。本发明的高亮度发光二极管外延片的缓冲层避免了非辐射复合发光的发生，P型层的空穴的迁移率提高，增加了P型层中的空穴与N型层产生的电子进行复合的几率，通过缓冲层与P型层的协同作用，提高了发光二极管的发光效率及抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓层 缓冲层 高亮度发光二极管 空穴 生长 生长阶段 外延片 衬底 非掺杂氮化镓层 退火 发光二极管 非辐射复合 抗静电能力 低温生长 发光效率 高温生长 交替生长 量子阱层 第一层 迁移率 发光 复合 | ||
【主权项】：
1.一种高亮度发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底、沿所述衬底的表面依次生长的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型层、量子阱层及P型层，所述缓冲层包括交替生长的第一氮化镓层与第二氮化镓层，所述缓冲层的第一层与最后一层均为第一氮化镓层，所述第一氮化镓层的生长温度低于第二氮化镓层的生长温度，所述P型层的生长包括至少2个生长阶段，所述每个生长阶段均包括高温生长、退火降温及低温生长的过程。/n
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