[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201810834322.4 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109326314B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 赵娜衍 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50;G11C7/10;G11C8/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 王建国;李琳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件可以包括变化检测电路和变化确定电路。变化检测电路可以被配置为生成具有根据晶体管的变化而改变的电压电平的检测电压。变化确定电路可以被配置为基于检测电压的电压电平使能多个确定信号中的任何一个。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：变化检测电路，其被配置为生成具有根据晶体管的变化而改变的电压电平的检测电压；以及变化确定电路，其被配置为基于所述检测电压的所述电压电平使能多个确定信号中的任何一个。
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