[发明专利]对晶圆腔室的间隙进行检测的晶圆式间隙检测传感器在审
| 申请号： | 201810834572.8 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110034037A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 金镇泰;梁会昌 | 申请（专利权）人： | 机体爱思艾姆有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健;张迪 |
| 地址： | 韩国光*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种对晶圆腔室的间隙进行检测的晶圆式间隙检测传感器，包括：基板外壳，以晶圆形状构成；静电传感器组件，包括与上述基板外壳相互间隔一定距离安装的第1静电传感器部以及第2静电传感器部；电源供应部，用于向上述静电传感器组件供应电源；以及，控制部，以从上述第1静电传感器部获取到的第1电容值为基础获取第1静电传感器部与腔室内部喷头之间的第1距离信息，以从上述第2静电传感器部获取到的第2电容值为基础获取第2静电传感器部与腔室内部喷头之间的第2距离信息，并以上述第1距离信息以及上述第2距离信息为基础生成间隙信息。 | ||
| 搜索关键词： | 静电传感器 晶圆 距离信息 间隙检测传感器 喷头 基板外壳 腔室内部 电容 腔室 电源供应部 间隙信息 组件供应 检测 电源 | ||
【主权项】：
1.一种对晶圆腔室的间隙进行检测的晶圆式间隙检测传感器，其特征在于，包括：基板外壳，以晶圆形状构成；静电传感器组件，包括与上述基板外壳相互间隔一定距离安装的第1静电传感器部以及第2静电传感器部；电源供应部，用于向上述静电传感器组件供应电源；以及，控制部，以从上述第1静电传感器部获取到的第1电容值为基础获取第1静电传感器部与腔室内部喷头之间的第1距离信息，以从上述第2静电传感器部获取到的第2电容值为基础获取第2静电传感器部与腔室内部喷头之间的第2距离信息，并以上述第1距离信息以及上述第2距离信息为基础生成间隙信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
