[发明专利]一种NAND Flash固态存储自适应差错控制方法有效
| 申请号： | 201810835470.8 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109087683B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王祖良;张婷 | 申请（专利权）人： | 西京学院 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C29/44 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 何会侠 |
| 地址： | 710123 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种NAND型Flash固态存储自适应差错控制方法，包括将数据存入固态存储器之前，将待保存数据按照NAND Flash结构每页长度对数据进行分组，每组数据按照构造好的编码器对数据进行编码，并将编码后的码字按页存入数据区，校验位信息存入相应页的ECC区。读出数据时先利用高效纠错型硬数据译码模块对按页读出的数据进行译码，如果在合理的迭代次数内成功译码，则输出译码结果，进行下一页数据的读取和纠错处理；如果硬数据译码失败，或在合理的迭代次数内无法完成译码，则调用数据恢复型软信息译码，以降低时效性能为代价，进行数据恢复处理；本发明具有有对高误码率数据进行可靠恢复，避免重要数据的丢失的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand flash 固态 存储 自适应 差错 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种NAND型Flash固态存储自适应差错控制方法，其特征在于，其步骤为：步骤一：构造(8n,8n‑8r)码检验矩阵，实现编码；步骤二：构造纠错型硬数据译码模块，采用硬判决快速译码实现低差错场景下的快速译码，显著提高译码效率；步骤三：构造数据恢复型软数据译码模块，根据NAND型闪存结构建立了LLR模型，为软数据译码提供LLR信息；步骤四：自适应译码策略：读出数据时先利用高效纠错型硬数据译码模块对按页读出的数据进行译码，如果在合理的迭代次数内成功译码，则输出译码结果，进行下一页数据的读取和纠错处理；如果硬数据译码失败，或在合理的迭代次数内无法完成译码，则调用数据恢复型软数据译码，以降低时效性能为代价，进行数据恢复处理。
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