[发明专利]重布线层的制造方法、晶圆级封装方法及重布线层有效
| 申请号： | 201810836291.6 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110767559B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种重布线层的制造方法、晶圆级封装方法及半导体结构，首先在基底上形成第二介质层，再在所述第二介质层中形成多个暴露出所述焊垫的多通孔结构，接着形成重布线层，所述重布线层覆盖部分所述第二介质层和所述多通孔结构中各通孔的内壁。由于在所述第二介质层中形成多个暴露出所述焊垫的多通孔结构，所述多通孔结构可以减弱所述多通孔结构内的介质层对重布线层的应力，进而避免了重布线开路，提高了封装的质量，使芯片的良率和可靠性进一步提升。 | ||
| 搜索关键词： | 布线 制造 方法 晶圆级 封装 | ||
【主权项】：
1.一种重布线层的制造方法，其特征在于，所述重布线层的制造方法包括：/n提供基底，所述基底上形成有第一介质层及位于所述第一介质层中的多个焊垫；/n形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层，所述第二介质层中形成有多个多通孔结构，一个所述多通孔结构暴露出一个所述焊垫；及/n形成重布线层，所述重布线层覆盖所述多通孔结构中各通孔的内壁并延伸覆盖部分所述第二介质层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
