[发明专利]光刻方法、刻蚀方法及半导体结构在审
| 申请号： | 201810836430.5 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109062011A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/30;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻方法、刻蚀方法及半导体结构，光刻方法包括如下步骤：1）提供一晶圆，晶圆包括有效区域及边缘区域；有效区域内包括若干个间隔分布的芯片区以及芯片区之间的第一切割道，边缘区域内包括若干个间隔分布的畸零区以及畸零区之间的第二切割道，芯片区和畸零区之间形成有第三切割道；2）于晶圆上形成牺牲阻挡层，覆盖边缘区域的畸零区及至少一第二切割道；3）于步骤2）所得结构的上形成第一光刻胶层，连续式覆盖有效区域及边缘区域上牺牲阻挡层；4）进行晶圆曝光及显影，以将第一光刻胶层进行图形化处理；显影后，保留牺牲阻挡层的覆盖图形。本发明可以避免边缘缺陷的产生，艺简单，可以显著提高产量，节约生产成本，便于量产。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘区域 切割道 晶圆 牺牲阻挡层 有效区域 芯片区 光刻 半导体结构 光刻胶层 间隔分布 刻蚀 显影 覆盖 节约生产成本 图形化处理 边缘缺陷 连续式 量产 曝光 保留 | ||
【主权项】：
1.一种光刻方法，其特征在于，所述光刻方法包括如下步骤：1)提供一晶圆，所述晶圆包括有效区域及排列在所述有效区域外围的边缘区域；所述有效区域内包括若干个间隔分布的芯片区以及所述芯片区之间的第一切割道，所述边缘区域内包括若干个间隔分布的畸零区以及所述畸零区之间的第二切割道，所述芯片区和所述畸零区之间形成有第三切割道；2)于所述晶圆上形成牺牲阻挡层，所述牺牲阻挡层覆盖所述边缘区域的所述畸零区及至少一所述第二切割道；3)于步骤2)所得结构的上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层连续式覆盖所述有效区域及所述边缘区域上所述牺牲阻挡层；及4)进行晶圆曝光及显影，以将所述第一光刻胶层进行图形化处理；显影后，保留所述牺牲阻挡层的覆盖图形。
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