[发明专利]二维材料电学性能调控系统及其调控方法有效
| 申请号： | 201810836724.8 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110767542B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 王雪深;钟青;李劲劲;钟源 | 申请（专利权）人： | 中国计量科学研究院 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 刘诚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种二维材料电学性能调控系统及其调控方法。所述二维材料电学性能调控系统包括支撑平台、控制装置和光源装置。所述支撑平台用于放置表面覆盖有二维材料层的基底，所述基底表面还覆盖有与所述二维材料层层叠设置的绝缘层和光学调制层。所述绝缘层设于所述二维材料层和所述光学调制层之间。所述光源装置与所述控制装置电连接，所述控制装置用于控制所述光源装置发光，以照射所述光学调制层，从而实现对所述二维材料层载流子的调控。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 材料 电学 性能 调控 系统 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二维材料电学性能调控系统(100)，包括：/n支撑平台(10)，用于放置表面覆盖有二维材料层(110)的基底，所述基底表面还覆盖有与所述二维材料层层叠设置的绝缘层(111)和光学调制层(112)，所述绝缘层(111)设于所述二维材料层(110)和所述光学调制层(112)之间；/n控制装置(20)；/n光源装置(30)，与所述控制装置(20)电连接，所述控制装置(20)用于控制所述光源装置(30)发光，以照射所述光学调制层(112)，从而实现对所述二维材料层(110)中载流子的调控。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
