[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示装置在审
| 申请号： | 201810837308.X | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109103105A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;杨凤云 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王宁 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置，其中方法包括：提供基板；在所述基板上形成栅极；在所述基板上形成栅极绝缘层，使所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；在所述栅极绝缘层上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成N+型掺杂非晶硅层；其中，控制掺杂气与硅源的比例为0.82～1.54或者1.74～4.1；在所述N+型掺杂非晶硅层上形成源漏极金属层；以及对所述源漏极金属层、所述N+型掺杂非晶硅层和所述非晶硅层进行刻蚀，以得到源极和漏极。上述薄膜晶体管的制备方法能够有效改善采用该薄膜晶体管的显示装置的图像残留问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 掺杂非晶硅层 栅极绝缘层 非晶硅层 显示装置 基板 源漏极金属层 制备 图像残留 硅源 刻蚀 漏极 源极 掺杂 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板上形成栅极；在所述基板上形成栅极绝缘层，使所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；在所述栅极绝缘层上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成N+型掺杂非晶硅层；其中，控制掺杂气与硅源的比例为0.82～1.54或者1.74～4.1；在所述N+型掺杂非晶硅层上形成源漏极金属层；以及对所述源漏极金属层、所述N+型掺杂非晶硅层和所述非晶硅层进行刻蚀，以得到源极和漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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