[发明专利]掩膜模具及其制备三维结构的方法在审
申请号: | 201810839796.8 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109031881A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 刘恩辰;李文平;龙侦发 | 申请(专利权)人: | 李文平 |
主分类号: | G03F1/54 | 分类号: | G03F1/54;B82Y40/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 545006 广西壮族自治*** | 国省代码: | 广西;45 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种掩膜模具及其制备三维结构的方法。本发明的掩膜模具主要由衬底(1)、模具结构层(2)、掩膜层(3)构成,所述衬底(1)具有透光性,所述掩膜层(3)具有遮光性,所述掩膜层(3)的全部图案或部分图案与所述模具结构层(2)的全部图案或部分图案相同或相似。使用掩膜模具制备三维结构的方法包括以下步骤:一是在掩膜模具的模具结构层(2)内填充光固化材料或光固化材料与其他材料的混合材料,二是曝光,使所述光固化材料或光固化材料与其他材料的混合材料固化,三是使所述的已固化的光固化材料或光固化材料与其他材料的混合材料从掩膜模具中脱离。本发明实现对成型材料的选择性固化,有效扩大了应用范围。 | ||
搜索关键词: | 光固化材料 掩膜 模具 混合材料 模具结构 其他材料 三维结构 掩膜层 图案 衬底 固化 制备 选择性固化 成型材料 模具制备 透光性 遮光性 填充 曝光 脱离 应用 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜模具,其特征在于:掩膜模具主要由衬底(1)、模具结构层(2)、掩膜层(3)构成,所述衬底(1)具有透光性,所述掩膜层(3)具有遮光性,所述掩膜层(3)的全部图案或部分图案与所述模具结构层(2)的全部图案或部分图案相同或相似。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李文平,未经李文平许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810839796.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:SRAM版图的OPC修正方法
- 下一篇:掩模装置及掩模控制方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备