[发明专利]改善N型SONOS器件阈值电压均一性的方法

摘要

本发明公开了一种改善N型SONOS器件阈值电压均一性的方法，其中将阱注入分为两步，先进行离子注入形成深度较深的阱注入区，再通过含氢的氧化工艺形成牺牲层氧化层，最后利用铟进行深度较浅的防穿通注入和阈值电压调整注入。本发明利用含氢的氧化工艺形成牺牲层氧化层，从而使硅表面的硼B浓度降低，然后利用铟In不容易扩散的特点进行第二次离子注入，减少扩散带来的掺杂波动，形成更接近突变型的掺杂分布，从而改善N型SONOS器件阈值电压均一性。

主权项

1.一种改善N型SONOS器件阈值电压均一性的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，定义SONOS器件区域，进行离子注入，形成深度较深的阱注入区；第二步，退火修复离子注入造成的注入损伤；第三步，牺牲层氧化层预清洗，去除SONOS器件区域的膜层，露出硅单质层；第四步，使用含氢的氧化工艺形成牺牲层氧化层；第五步，定义SONOS器件区域，进行离子注入，形成深度较浅的防穿通注入区和阈值电压调整注入区；第六步，退火修复离子注入造成的注入损伤；第七步，ONO层沉积预清洗，去除SONOS器件区域的膜层，露出硅单质层；第八步，ONO层沉积，在整个晶圆表面沉积ONO膜层；第九步，定义出非SONOS器件区域，去除非SONOS器件区域内的ONO膜层；第十步，多晶硅栅极沉积和刻蚀，定义出SONOS器件的栅极；第十一步，SONOS器件源漏延伸和源漏注入，源漏退火。