[发明专利]改善闪存单元擦除相关失效的工艺集成方法

摘要

本发明公开了一种改善闪存单元擦除相关失效的工艺集成方法，在闪存单元栅极结构和外围逻辑区栅极完成刻蚀后，进行如下步骤：步骤一，在闪存单元栅极结构的侧面和顶面形成一氧化硅层；步骤二，在氧化层外侧形成氮化硅层；步骤三，进行源极刻蚀；步骤四，将栅极结构外侧的氮化硅层和氧化硅层去除；步骤五，进行源极离子注入；步骤六，在栅极结构形成侧墙并进行浅沟道注入，形成轻掺杂漏区。本发明通过氮化硅层保留部分有源区，将被保护有源区的源极掺杂与有源区损失区域的掺杂相连接，在沟道反型时使后续的源极端可以与沟道有效连接，可以降低源极端的电阻，从而解决源极有源区硅损失不稳定导致的擦除电流变化较大的问题，提高擦除相关失效的良率。

主权项

1.一种改善闪存单元擦除相关失效的工艺集成方法，其特征在于，闪存单元栅极结构和外围逻辑区栅极完成刻蚀后，进行如下步骤：步骤一，在闪存单元的栅极结构的侧面和顶面形成一氧化硅层；步骤二，在栅极结构的氧化硅层外侧形成氮化硅层；步骤三，进行源极刻蚀；步骤四，将栅极结构外侧的氮化硅层和氧化硅层去除；步骤五，进行源极离子注入；步骤六，在栅极结构形成侧墙并进行浅沟道注入，形成轻掺杂漏区。