[发明专利]使用栅极绝缘破裂的一次性可编程存储器有效
| 申请号： | 201810841157.5 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109326597B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | A·E·霍奇;V·莫洛兹;J·卡瓦 | 申请（专利权）人： | 美商新思科技有限公司 |
| 主分类号： | H10B20/25 | 分类号： | H10B20/25 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;崔卿虎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开了使用栅极绝缘破裂的一次性可编程存储器。实施例涉及具有晶体管的反熔丝器件。晶体管可以是FinFET。反熔丝器件包括第一电极、绝缘层和第二电极。晶体管的栅极可以形成在与第一电极相同的层中。晶体管的栅极上的栅极绝缘层可以形成在与绝缘层相同的层中。第二电极可以形成在与局部互连或过孔相同的层中，并且在绝缘层之上垂直地重叠第一电极。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 栅极 绝缘 破裂 一次性 可编程 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种用于使用场效应晶体管(FET)工艺制造的集成器件的反熔丝器件，包括：第一电极，在与使用所述FET工艺制成的晶体管的栅极相同的层中制成；栅极绝缘层，覆盖所述第一电极的第一部分和使用所述FET工艺制成的所述晶体管的所述栅极；以及第二电极，与所述第一电极的所述第一部分至少部分地重叠，所述栅极绝缘层的在所述第二电极与所述第一电极之间的一部分响应于跨所述栅极绝缘层施加超过阈值的电压而被短路以在所述第一电极与所述第二电极之间创建电流路径。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美商新思科技有限公司，未经美商新思科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810841157.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
