[发明专利]制造设施及制造设施中的错误测量方法有效
| 申请号： | 201810842108.3 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN110767570B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 范哲纶;苏英筑;朱介山;詹宜彬;刘正伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开部分实施例提供一种制造设施及制造设施中的错误测量方法。上述方法包括将一晶片移入至一加工槽，并在一既定时间后将晶片自加工槽移除。上述方法还包括发射一声波能量至加工槽，并根据自加工槽所回送的声波能量产生一测量声波数据。上述方法也包括比较测量声波数据与一期望声波数据，当测量声波数据与期望声波数据不一致时触发一警讯。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 设施 中的 错误 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造设施中的错误测量方法，包括：/n将一晶片移入至一加工槽，并在一既定时间后将该晶片自该加工槽移除；/n发射一声波能量至该加工槽，并根据自该加工槽所回送的该声波能量产生一测量声波数据；以及/n比较该测量声波数据与一期望声波数据，当该测量声波数据与该期望声波数据不一致时触发一警讯。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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