[发明专利]一种光刻二元谐衍射Alvarez透镜变焦系统的方法

摘要

本发明一种光刻二元谐衍射Alvarez透镜变焦系统的方法，本发明先确定谐衍射Alvarez透镜的面型，接着确定一阶掩模位置并光刻，最后确定高阶掩模位置并光刻，保留了Alvarez透镜组原有的特征，即且第二Alvarez透镜相对于第一Alvarez透镜沿垂直于光轴方向移动，所述Alvarez透镜组的焦距会发生改变，并且相对于衍射光学元件，二元谐衍射Alvarez透镜变焦系统具有高精度高效率的特点；本发明加工工艺简单，精度远比常规光学加工的精度高。

主权项

1.一种光刻二元谐衍射Alvarez透镜变焦系统的方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：步骤一：取一块长方体玻璃板；步骤二：确定谐衍射Alvarez透镜的面型；其中Alvarez透镜的表面多项式方程为：其中A表示为多项式系数；谐衍射Alvarez透镜根据Alvarez透镜的面形，以2mπ(m>＝2)的相位差切割原Alvarez透镜，因此谐衍射Alvarez透镜相邻环带间的相位差是2mπ，m>＝2；步骤三：确定一阶掩模位置先在谐衍射Alvarez透镜的mπ的相位处，将谐衍射Alvarez透镜分为上半区与下半区，如果谐衍射Alvarez透镜的表面面形在此透镜的上半区，那么就在基板相对应的位置放置掩模；下半区相对应的位置不放置掩模；步骤四：光刻用激光扫描基板，在没有掩模的基板上激光将其切割出一个台阶，而有掩模处的基板激光不切割；步骤五：确定高阶掩模位置并光刻当需要放置二阶掩模时，将谐衍射Alvarez透镜的(1/2)mπ与(3/2)mπ的相位处标记出来，并且谐衍射Alvarez透镜的表面面形高于(1/2)mπ处相对应的基板位置放置掩模，介于mπ和(3/2)mπ之间处相对应的基板位置放置掩模，其余位置不放置掩模，并进行光刻，光刻深度为第一次光刻深度的1/2倍；当需要放置三阶掩模时，将谐衍射Alvarez透镜的(1/4)mπ，(3/4)mπ，(5/4)mπ与(7/4)mπ的相位处标记出来；当谐衍射Alvarez透镜的表面面形高于(1/4)mπ处相对应的基板位置放置掩模，并且在介于(1/2)mπ到(3/4)mπ、mΠ到(5/4)mπ、(3/2)mπ到(7/4)mπ处相对应的基板位置放置掩模；在进行光刻，光刻的厚度为第一次光刻深度的1/3倍；放置第N阶掩模时，将谐衍射Alvarez透镜的mπ*1/2N‑1，3mπ*1/2N‑1…(2N‑1)mπ*1/2N‑1的相位处标记出来,当谐衍射Alvarez透镜的表面面形高于(mπ*1/2N‑1处相对应的基板位置放置掩模，并且在介于(1/2)mπ到(3/4)mπ、mΠ到(5/4)mπ、(3/2)mπ到(7/4)mπ处相对应的基板位置放置掩模，并且在介于mπ/2N‑1到3mπ*1/2N‑1、…(2N‑1‑2)mπ*1/2N‑1到(2N‑1‑1)mπ*1/2N‑1，(2N‑2)mπ*1/2N‑1到(2N‑1)mπ*1/2N‑1处相对应的基板位置放置掩模；N＞3；其余位置不放置掩模，并进行光刻，光刻深度为第一次光刻深度的1/N。