[发明专利]一种电熔丝结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810842465.X | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109037190B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张彦伟;李润领;关天鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种电熔丝结构及其制造方法，制造方法包括：提供衬底；在上述衬底上形成对应上述电熔丝结构的多晶硅；对上述多晶硅进行第一掺杂类型的源漏离子注入；对上述多晶硅进行第二掺杂类型的源漏离子注入，上述第一掺杂类型不同于上述第二掺杂类型；以及在掺杂后的上述多晶硅表面形成金属多晶硅化物。根据本发明提供的制造方法所制造的电熔丝结构，后值电阻较高，有效优化了编程电流窗口，并且，所制造的电熔丝结构内部界面均匀，电特性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电熔丝 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电熔丝结构的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成对应所述电熔丝结构的多晶硅；对所述多晶硅进行第一掺杂类型的源漏离子注入；对所述多晶硅进行第二掺杂类型的源漏离子注入，所述第一掺杂类型不同于所述第二掺杂类型；以及在掺杂后的所述多晶硅表面形成金属多晶硅化物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810842465.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有金属通孔的半导体器件
- 下一篇：修调电阻及其制造方法
