[发明专利]发光装置以及电子设备在审
申请号: | 201810842920.6 | 申请日: | 2014-01-29 |
公开(公告)号: | CN109273489A | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 太田人嗣;野泽陵一;野村猛 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及发光装置以及电子设备。其中,发光装置具备:半导体基板;多个像素电路,其形成于上述半导体基板;第一布线,其由导电性材料形成,并被供给规定的电位;以及多个第一触点部,其由导电性材料形成,并使上述半导体基板以及上述第一布线连接,其中,上述多个第一触点部以及上述第一布线被设置于配置有上述多个像素电路的显示区域。 | ||
搜索关键词: | 半导体基板 发光装置 导电性材料 电子设备 像素电路 触点部 布线 电位 布线连接 显示区域 配置 | ||
【主权项】:
1.一种发光装置,其特征在于,具备:半导体基板;多个像素电路,形成于所述半导体基板;第一布线,由导电性材料形成,并被供给规定的电位;以及多个第一触点部,由导电性材料形成,并连接所述半导体基板以及所述第一布线,其中,所述多个第一触点部以及所述第一布线被设置于配置有所述多个像素电路的显示区域,所述多个像素电路中多个第一像素电路具备发光元件、和对所述发光元件供给电流的第一晶体管,所述第一触点部在与所述第一晶体管的杂质扩散区域不同的第一杂质扩散区域与所述半导体基板连接,所述第一杂质扩散区域被设置为以与所述第一布线一对一对应的方式延伸,所述第一晶体管的源极电极与所述第一触点部连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的